半有色金属硅硼硒碲砷
石墨烯/萘磺酸盐复合膜,用于纳米电子设备



        烯基复合材料的导电性和热导率低于预期,这主要是因为石墨烯在高负载下的缺陷和空间分布难以优化。本文,中国科学院化学研究所马永梅课题组在《ACS Appl. Nano Mater》期刊发表名为“Graphene/Naphthalene Sulfonate Composite Films with High Electrical and Thermal Conductivities for Energy Storage and Thermal Management in Nanoscale Electronic Devices”的论文,研究通过控制少量缺陷扁平石墨烯片的组装,实现了独立柔性石墨烯/萘磺酸盐(GN)复合薄膜的高导电性和高导热性。组装后的GN复合膜具有良好的导电性,达到1.25×105 S m–1,当膜厚度仅为25μm时,其电磁屏蔽性能高达37 dB,这与先前报道的毫米厚度石墨烯复合膜具有竞争力。
 
       此外,GN复合膜还表现出优异的面内导热性(300 W m–1 K–1)。这种薄膜的优越性能主要是因为在高负载下,少量缺陷石墨烯可以在复合材料中形成高度定向的结构。作者认为所制备的复合薄膜在纳米电子器件的储能和热管理领域具有巨大的应用潜力。
 
该策略以较低的成本同时实现规模化和无污染制备石墨烯复合材料,在纳米电子器件的储能(如双电层电容器)和热管理方面具有巨大的应用潜力。


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