5月30日消息，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院成功制备直径2英寸（50.8mm）的第四代半导体材料氧化镓晶圆。

浙江大学杭州国际科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型，直径尺寸达到50.8±0.5mm，表面粗糙度小于0.5nm，光学透过率良好，高分辨X射线摇摆曲线测试半高宽小于100弧秒，衍射峰均匀对称，单晶质量较好，关键技术指标已达领域内的先进水平。

       目前，使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际尚属首次。